电流是什么电子?

1. 一种检测低压电流互感器检定流水线上的电子标签的系统,其特征在于,所述系统 包括: 传送带,其用于连续性传送待测低压电流互感器; 挡停位,其位于传送带上,用于暂时阻止低压电流互感器的传送,以使条形码扫描仪和 射频识别RFID读写器读取被暂时阻止的低压电流互感器的电子标签信息,挡停位可以是1 个或者2个; 条形码扫描仪,其位于挡停位上方,用于扫描经过其下方的低压电流互感器电子标签 正面的条形码信息; RFID天线,其位于挡停位上方,用于将电子标签返回的射频信号发送至RFID读写器或 将RFID读写器的信息转换成射频信号发送给电子标签; RFID读写器,其位于挡停位下方,用于通过RFID天线发送或接收的射频信号识别电子 标签并获取或写入电子标签内部储存的信息; 密钥管理单元,其用于为系统进行电子标签身份认证、交易密钥更新时提供密钥以及 提供数据加密、解密服务; 数据库服务器,其用于为系统提供低压电流互感器检定信息; 电控可编程逻辑控制器PLC,其用于控制挡停位的升降; 主机,其通过数据线分别与条形码扫描仪、RFID读写器、密钥管理单元、数据库服务器 和电控PLC连接,负责与系统其他单元交互数据、控制低压电流互感器移动和停止以及执行 检测过程。

2. 根据权利要求1所述的系统,其特征在于,所述系统还包括显示器,通过数据线与主 机连接,用于显示检测信息。

3. 根据权利要求1或者2所述的系统,其特征在于,所述系统还包括金属外壳,其用于保 护封装于外壳内部的设备,其中,当挡停位为2个时,封装于外壳内部的设备包括RFID天线、 RFID读写器和主机,且主机固定在金属外壳上,当挡停位为1个时,封装于外壳内部的设备 包括条形码扫描仪、RFID天线、RFID读写器和主机,且主机也固定金属外壳上。

4. 根据权利要求1至3中任意一个所述的系统,其特征在于,所述系统适用于单排低压 电流互感器检定流水线或者双排低压互感器检定流水线。

5. 根据权利要求1至3中任意一个所述的系统,其特征在于,所述系统的RFID读写器适 用于国标标准和产品电子代码EPC标准的电子标签。

6. 根据权利要求1至3中任意一个所述的系统,其特征在于,所述低压电流互感器检定 信息包括互感器变比、二次负荷上限值、准确度等级、额定一次电流扩大倍数、仪表保安系 数、检定人员、检定结果和检定时间。

7. —种检测低压电流互感器检定流水线上的电子标签的方法,其特征在于,所述方法 包括: 步骤1、电控PLC通知主机低压电流互感器到达第一个挡停位; 步骤2、主机通知条形码扫描仪读取电子标签条形码信息; 步骤3、主机监听条形码扫描仪发送的信息并获取条形码扫描仪读取的低压电流互感 器电子标签正面的条形码信息; 步骤4、主机通知电控PLC放行低压电流互感器,传送带继续传送低压电流互感器至第 二个挡停位; 步骤5、主机启动RFID读写器对低压电流互感器电子标签进行身份认证,当身份认证不 通过时,跳转至步骤8,当身份认证通过时,跳转到步骤6; _步骤6、RFID读写器读取电子标签内存储的信息,并对互感器电子标签中读取到的信息 进行MAC验证,当MAC验证通过时,跳转至步骤7,当MAC验证不通过时,跳转至步骤8; 步骤7、将RFID读写器读取的通过MAC验证的电子标签信息和条形码扫描仪读取的条形 码信息进行比对,当比对成功时,跳转至步骤9,当比对不成功时,跳转至步骤8; 步骤8、主机通知电控PLC并将低压电流互感器移动到检测不合格的位置; 步骤9、从数据库服务器中获取互感器的检定信息; 步骤10、调用密钥管理单元对读取到的互感器的检定信息进行加密; 步骤11、主机控制RFID读写器将获取的加密信息写入低压电流互感器电子标签; 步骤12、主机控制RFID读写器读取写入到低压电流互感器电子标签中的数据; 步骤13、将RFID读写器读取到的数据通过密钥管理单元进行解密并与从数据库服务器 中读到的原始数据进行比对,比对一致则执行步骤14,比对不一致则执行步骤10; 步骤14、主机从密钥管理单元中获取互感器电子标签交易密钥; 步骤15、主机控制RFID读写器将步骤14获取的密钥信息写入互感器电子标签; 步骤16、主机控制RFID读写器采用交易密钥对互感器电子标签进行身份认证,认证成 功则执行步骤17,认证不成功则执行步骤14; 步骤17、主机通知电控PLC将低压电流互感器移动到检测合格的位置。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,当检定流水线的挡停位为1个时,所述方法 的步骤1至步骤4调整为:当低压电流互感器到达挡停位时,电控PLC通知主机后,主机通知 条形码扫描仪读取电子标签条形码信息并监听条形码扫描仪发送的信息,以及获取条形码 扫描仪读取的低压电流互感器电子标签正面的条形码信息。

9. 根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法适用于单排低压电流互感器检定 流水线或者双排低压互感器检定流水线。

10. 根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法适用于国标标准和产品电子代 码EPC标准的电子标签。

11. 根据权利要求7所述的方法,其特征在于,步骤5中主机启动RFID读写器对低压电流 互感器电子标签进行身份认证包括: RFID读写器从低压电流互感器电子标签中获取随机数1; RFID读写器使用从密钥管理单元获取的生产密钥1对随机数1加密,并生成随机数2; RFID读写器将随机数1密文和随机数2发送给互感器电子标签; 低压电流互感器电子标签用自身存储的生产密钥1解密随机数1密文,判断与随机数1 是否一致,不一致返回错误应答,一致则将随机数2用自身存储的生产密钥2加密后发送给 RFID读写器; RFID读写器用从密钥管理单元获取的生产密钥2对随机数2解密,并判断与随机数2是 否一致,一致则身份认证成功。

12. 根据权利要求7所述的方法,其特征在于,步骤6中对互感器电子标签中读取到的信 息进行MAC验证包括: 将低压电流互感器电子标签中读取到的信息和MAC值发送给密钥管理单元; 密钥管理单元使用MAC计算函数计算低压电流互感器电子标签中读取到的信息的MAC 值; 密钥管理单元比对两个MAC值是否一致,一致则MAC验证通过。

13.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,步骤16中主机控制RFID读写器采用交易 密钥对互感器电子标签进行身份认证包括: RFID读写器从低压电流互感器电子标签中获取随机数1; RFID读写器使用从密钥管理单元获取的交易密钥1对随机数1加密,并自己生成随机数 2; RFID读写器将随机数1密文和随机数2发送给低压电流互感器电子标签; 低压电流互感器电子标签用自身存储的交易密钥1解密随机数1密文,判断与随机数1 是否一致,不一致返回错误应答,一致则将随机数2用自身存储的交易密钥2加密后发送给 RFID读写器; RFID读写器用从密钥管理单元获取的交易密钥2对随机数2解密,并判断与随机数2是 否一致,一致则身份认证成功。

电子负载mos管原理详解

直流电子负载是控制功率MOS管的导通深度,靠功率管的耗散功率(发热)消耗电能的设备,它的基本工作方式有恒压、恒流、恒阻、恒功率这几种。下文讲述直流电子负载恒流模式原理。在恒流模式下,不管输入电压是否改变,电子负载消耗一个恒定的电流。

一、功率MOS管的工作状态

电子负载是利MOS的线性区,当作可变电阻来用的,把电消耗掉。MOS管在恒流区(放大状态)内,Vgs一定时Id不随Vds的变化而变化,可实现MOS管输出回路电流恒定。只要改变Vgs的值,即可在改变输出回路中恒定的电流的大小。

采样电阻Rs、运放构成一比较放大电路,MOS管输出回路的电流经RS转换成电压后,反馈到运放反向端实现控制vgs,从而MOS管输出回路的电流。当给定一个电压VREF时,如果Rs上的电压小于 VREF,也就是 运放的-IN小于+IN,运放加大输出,使MOS导通程度加深,使MOS管输出回路电流加大。如果 Rs 上的电压大于 VREF时,-IN大于+IN,运放减小输出,也就MOS管输出回路电流,这样电路最终维持在恒定的给值上,也就实现了恒流工作。

下面推导Id的表达式:

对于MOS管,其输入电阻很大,Ig近似为0,则:

由此可知只要Uref不变,Id也不变,即可实现恒流输出。如果改变 UREF就可改变恒流值,UREF可用电位器调节输入或用DAC芯片由MCU控制输入,采用电位器可手动调节输出电流。若采用 DAC输入即可实现数控恒流电子负载。

三、实用的运放恒流电子负载

基本原理:MOS和电阻Rs组成负反馈电路,MOS管工作在恒流区,运放同相端调节设定恒流值,MOS管的电流在电阻Rs上产生压降,反馈到运放反向端实现控制输出电流。R1、U2构成一2.5V基准电压源,R2、Rp对这2.5V电压分压得到一参考电压送入运放同相端,MOS管输出回路的电流Is经Rs转换成电压后,反馈到运放反向端实现控制vgs,从而控制MOS管输出回路的电流Is的稳定。电容C1主要作用有2个,一方面是消杂波,另一方面也是对运放输出的梯波进行补偿,使得电压变化速度减缓,尽量减少mosfet的G极电压高频变化引发振荡的可能。

下面给出各种参数的表达式:

其中Rp’为Rp抽头对地的电阻

当Rp抽头在最上端时,Uref、Is有最大值

如果已知最大电流Is可用

按图中元件参数计算,可以得到

即图中电路最大恒流值约为3.7A。

电子负载mos管是靠功率管的耗散功率(发热)消耗电能的,流经MOS管电流过大会导致耗散功率过大,容易烧坏MOS管。为此可以采用多管并联的方式来均分电流。由于元件具有离散性和差异性,流经每个MOS管的电流实际并不一致,可以在电路中加入均流电阻,图中R4、R5、R6、R7为均流电阻。注意,在这种电路中,按上文式子计算出来Rs是总电阻,Id是总电流。

其实上图是有缺陷的:一是不能很好解决每个MOS电流的不一致的问题,二是运放的输出能力有限,不能驱动多个MOS管。每个MOS管独立用一套运放驱动即可解决。

在这一电路中,按上文式子计算出来Rs是总电阻,Id是总电流。

电子负载mos管恒压、恒阻模式原理

在恒压模式下,电子负载将消耗足够的电流来使输入电压维持在设定的电压上。

电压工作模式的情况与电流模式相同,只不过检测的变量是输出电压, 这一输出电压是经过电阻R1、R2分压得到的。检测出的电压(R14两端)被反馈到运放的同相输入端, MOS管再次工作在线性区。

如图所示,Vref为参考电压值,Uf为功率控制电路的反馈电压值。

当Uf>Vref时,运放加大输出,MOS管导通程度加深,使得MOS管输出回路上的电压下降;

当Uf<Vref时,运放减小输出,MOS管导通程度减小,使得MOS管输出回路上的电压升高,最终维持在一恒定的值。

通过改变Vref的值,可以使电压改变,并恒定。

在定电阻模式下,电子负载被等效为一个恒定的电阻,电子负载会随着输入电压的改变来线性改变电流

如图所示,Uin为外加信号,调节滑动变阻器R17设定阈值电压,当Uin改变时,负载R50上的电流也会随之线性变化;

可以看到输入电压与输入电流呈现线性变化,并可通过滑动变阻器R17手动设置电阻值。

固定滑动变阻器R17后,对应某一时刻而言,电压的变化,引起了电流的变化,且其比值固定不变。

一般设计人员都用直流电子负载来测试电源, 如太阳能阵列或电池, 但商用直流电子负载很昂贵。其实只要将功率MOSFET在其线性区内使用, 就可制作出自己的直流电子负载( 图1) 。该负载采用两个简单的反馈回路。MOS管( IRFa) 用作一个稳流模式下的电流源或稳压模式下的电压源。设计人员在描述电压源的特性时都使用稳流模式, 因为在稳流模式下, 电源必须提供电子负载中设定的电流值。设计师都将稳压模式与电流源一起使用, 因为稳压模式会迫使电源在负载设定的电压下工作。

图1 直流电子负载图

如图1所示, 在电流模式下, RSHUNT 检测I LOAD, 检测得到的电压反馈给运算放大器IC1A的反相输入端。由于运算放大器的直流增益在线性反馈工作区内很高, 反相输入端保持与非反相输入端相等, 即相当于VIREF。放大器产生自己的输出值, 以使MOSFETQ2和Q3 工作于线性区, 因而会消耗电源的功率。源极电流值与电流环基准VI REF成正比,即ILOAD=VI REF/RSHUNT可利用一个连接到稳定电压基准上的电阻分压器设定VIREF,VI REF, 或者使用来自一个基于PC的I/O卡的D/A转换器输出,以实现灵活的配置。电压工作模式的情况与电流模式相同, 只不过检测的变量是输出电压, 这一输出电压是经过分压器RA/ RB 衰减的, 所以电子负载的工作电压比运放电源电压高。

检测出的电压被反馈到IC1B的非反相输入端, MOSFET再次工作在线性区。负载电压VLOAD=VVREF×(RA+RB)/RB。CA3240型双运放IC1可以在输入电压低于负电源电压的情况下工作, 这对单电源供电非常有用, 然而,如果有对称电源,那就可以采用任何运放。继电器K1通过一根驱动Q1的数字控制线来切换工作模式。MOSFET 是至关重要的; 你可以增加这个并联使用的IRF150器件, 以提高电流承受能力, 因IRF150 具有正的温度系数, 从而可均衡流过两只并联MOSFET的电流。由于电路中使用两只MOSFET, 电子负载可承受10A电流, 功耗大于100W, 所以使用一只散热器和小风扇是个好主意。

本电路适用于描述有两种电源模式的光伏电池模块的特性。采用本电路和基于PC的设置时, Helios公司的一种光伏电池模块的I-V特性曲线表明有一个区在VMPP ( 最高点的电压) 以上, 在VMPP 这一电压下, 陡峭的过渡与一个电压源相对应( 图2) 。在低于VMPP的电压下, 光伏电池模块犹如一个电流源。一般情况下, 用个简单的电流模式电子负载描述I - V 特性曲线这一平坦区的特性是很困难的, 因为电压输出对电流的微小变化很敏感,因此, 恒定电压模式负载就是一种较好的选择。

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补充:在此文撰文之后Multiwfn又支持了ICSS方法图形化分析芳香性,极具实用价值,见《通过Multiwfn绘制等化学屏蔽表面研究芳香性》()。


衡量芳香性的方法以及在Multiwfn中的计算

摘要:本文首先先介绍芳香性的基本概念,然后对比较重要、目前比较流行的和近年来新提出的衡量芳香性的方法依次进行介绍,并谈谈笔者的看法。其中可以在Multiwfn程序中实现的方法会介绍操作过程。最后对实际应用中芳香性指标的选择进行讨论。

顺带一提,笔者对18碳环体系曾做过大量的理论研究,汇总见。其中有两篇文章专门讨论18碳环和18碳环衍生物C18-(CO)6的芳香性,综合运用了本文中不少方法,十分推荐阅读和作为范例引用,分别见Carbon, 165, 468 (2020) DOI:

Bultinck等人的文章鼓吹计算多中心键级时应当将原子序号的各种置换组合都考虑进去,此时计算结果就完全和输入的原子序号顺序无关了。但这样计算多中心键级非常耗时,而且此时的结果并不适合研究芳香性,因为反映的并不是沿着环的路径的离域强弱,不过此时倒是适合研究某个簇状区域的整体离域情况。如果想计算这种多中心键级,将settings.ini里的iMCBOtype设为2之后,照常计算时输出的多中心键级就是这种了。详见Multiwfn手册3.11.2节。

电子定域化函数(Electron localization function, ELF)是Becke提出的衡量电子定域性的实空间函数,目前有极为广泛的应用。此函数的在《电子定域性的图形分析》()中从图形的角度进行了介绍,在 物理化学学报, 27, ) 中作者对ELF的函数形式和物理意义做了详细的讨论,更多相关信息看“ELF综述和重要文献小合集”()。可以认为,被数值越高的ELF等值面包围的空间,电子越容易在这个空间内离域,同时越难离域到这个空间之外。

在JCP,120,)中,作者提出了ELF-sigma和ELF-pi用于研究sigma和pi芳香性。前者就是在计算ELF时只考虑pi以外的轨道,后者就是计算ELF时只考虑pi轨道。注意哪怕是对平面体系,ELF也不能分解为ELF-sigma和ELF-pi的加和,但使用ELF-sigma和ELF-pi研究问题确实有实际价值,所以也就无视这个理论上的小缺陷了。

ELF等值面的数值(isovalue)取得越大,等值面内的空间(称为域)就会越来越小。如果域内含有多个ELF极大点(叫可约域),则随着isovalue的增加,这个连通的域就会逐渐分解为多个小的孤立的域,最终每个域内只包含一个ELF极大点(叫不可约域)。不同isovalue时苯的ELF-pi和ELF-sigma等值面如下图所示

可见,对于ELF-pi等值面,当isovalue=0.91时,在苯环上方、下方对应离域pi电子的连通的可约域恰好要分解为六个碳原子上的不可约域,故0.91就是讨论芳香性时候苯的ELF-pi值。红箭头所示的位置被称为二分点(bifurcation point)。不同体系ELF-pi值不同,pi芳香性越强的体系ELF-pi可约域分解得越晚,即ELF-pi值越大。多数体系并非像苯这样是每个键都对称的,因此ELF-pi可约域在环上的某些键上分解得早,在有的键上分解得晚,ELF-pi应当取最先出现分解时的值,而最先分解处也对应了环共轭最弱的位置。

ELF-sigma函数在构成共价键的原子间总有极大点,对应一块ELF-sigma值较高的区域。衡量芳香性所取的ELF-sigma值指的是环上的这些相邻的高ELF-sigma区域之间的二分点,对于苯,就是上图红箭头所示的位置。由于是在isovalue=0.71时恰好在此处从连通的可约域分解开来,因此苯的ELF-sigma值为0.71。

Chem.Rev.,105,)中指出ELF-pi大于0.7的体系可以算作是有pi芳香性的,在0.11~0.35可以算是有pi反芳香性的。对于有机分子,ELF-pi和ELF-sigma平均值大于0.7可以算作有整体芳香性,小于0.55的体系可以算作有整体反芳香性。

在Multiwfn中计算ELF-sigma/pi的方法是:先载入含有波函数信息的文件,利用主功能100里的选项22把pi轨道占据数设为0(对于计算ELF-sigma来说),或把其余轨道占据数设为0(对于ELF-pi来说)。然后进入主功能5,选ELF,再选合适的格点设定(小体系通常选2即可,大一些的体系适合选3)。格点数据算完后选-1,在蹦出来的图形界面里从小到大逐渐调节isovalue,直到ELF-sigma或ELF-pi等值面开始出现二分为止,就确定了ELF-sigma或ELF-pi的数值。另一种方法就是在设完占据数后用主功能2来进行拓扑分析找到精确的二分点位置,并获知相应位置的ELF-sigma/pi值,这样做没有观看等值面那样直观,但是结果更精确。非常具体的分析绘制ELF-pi的操作说明和示例见《在Multiwfn中单独考察pi电子结构特征》()。

其实寡人并不完全赞同上述这种通过ELF-sigma/pi衡量芳香性的做法,因为只靠空间中个别的点的性质就断定整个环的芳香性,这难免考虑得不够周全,更合理的是诸如考虑一部分区域的ELF-sigma/pi。

在这里特别要指出的是,ELF-sigma/pi数值在目前的众多文献中十分混乱!问题极其严重!!!笔者发现很多文献中的ELF-sigma/pi值根本没法重现,有的明显不合理。主要原因可能是那些作者用的程序和操作步骤可能有误,更主要原因是对于复杂体系(对于苯的例子没体现出来),会涉及到一大堆二分点,取哪个二分点来定义体系的ELF-sigma/pi值(尤其是ELF-sigma)是个很含糊的问题,不同研究者取的二分点经常不一致。这导致文献中的ELF-sigma/pi值乱七八糟,有的体系的芳香性被明显高估或低估。导致目前这种糟糕局面体现了ELF-sigma/pi这个研究方法本身的缺陷,而原作者一开始也没严格地说清楚碰到复杂情况时该怎么选二分点。遗憾的是至今也没有人撰文指出目前文献中的ELF-sigma/pi值已经乱得一塌糊涂,导致鲜有人重视这个严峻问题,取二分点的标准始终没能标准化。这样下去早晚要出大麻烦。

LOL)是Becke在J.Mol.Struct.(Theochem),527,51(2000)当中提出的和ELF在定义及实际功能上都十分相似的实空间函数。现在也有少数文章开始用LOL-sigma和LOL-pi来讨论sigma和pi芳香性,例如PCCP,13,),但是研究方法还没标准化,还没像ELF-sigma/pi那样得到普遍认知。使用LOL代替ELF研究芳香性可能会有更好的效果。对于大量芳香性体系,LOL-pi不像ELF-pi那样在pi键上有二分点,而是有局部极大值,直接对应了pi键,故分析比较便利(而ELF二分点的性质只能够间接地展现pi键)。苯的LOL-pi等值面如下所示,pi键上的LOL-pi极大点在isovalue=0.7时很鲜明。通过对比也能看出LOL-pi的等值面不像ELF-pi那么鼓,延展不到氢那边去,因此分析pi问题时显得比ELF-pi更干净清晰。

在Multiwfn里计算LOL-sigma/pi的过程和计算ELF-sigma/pi几乎完全一致,唯一不同的就是选择要算的实空间函数时选择LOL而非ELF。

另外还有文章用其它能够衡量电子定域性的实空间函数,如ELI-D来研究芳香性,但ELI-D函数定义比ELF/LOL更复杂,计算更耗时更麻烦,从结果上看也没什么额外的好处,可以无视掉。

电子的交换相关密度Γ(r1,r2)依赖于两个电子坐标,A、B两原子间的离域化指数(DI)定义为∫∫Γ(r1,r2)dr1dr2,其中r1和r2分别是在A和B的原子空间内积分。实际计算中DI的公式可以写为
两个加和号对应令m和n在所有分子轨道中循环。η代表轨道占据数,S_m,n(A)代表m和n号分子轨道在A的原子空间内的积分值。S称为原子重叠矩阵(AOM)。DI最初的定义中原子空间用的是AIM原子空间,也叫原子盆。关于交换相关密度和离域化指数更具体的内容已经分别在Multiwfn手册的2.6节的第17部分和3.18.5节进行了十分详细、清晰的讨论,这里就不重复了。可以简单认为两个原子间DI越大,那么电子在两个原子间离域程度越高。

对于苯的DI研究发现,对位两个原子间的DI明显要比间位的大,尽管间位的两个原子间离得更近。这表现出芳香环上电子离域的独特特点。基于这一点,在Chem.Eur.J.,9,400(2003)当中作者提出了PDI来衡量六元环芳香性,也就是三个对位的DI值的平均值:
芳香性越强,对位的DI越大,PDI也就越大。PDI可以很好地反映化学反应进程中芳香性的变化,但主要缺点是没法用于非六元环,以及没法合理表现出环平面的扭曲造成的芳香性的减弱,比如苯环变成船型。也有文献指出PDI对于带很多正电荷的富勒烯,如C60(10+)的局部芳香性描述有错误。

对于平面体系,由于DI可以精确地分离为sigma和pi部分的加和,因此PDI也可以相应地分离为PDI-sigma和PDI-pi用于单独研究sigma和pi芳香性。

在AIM原子空间中进行积分十分耗时,因为其边界复杂,不容易得到较精确的积分值,这是为什么算AIM电荷很耗时的关键原因。相应地,在AIM空间中计算AOM也十分耗时,而DI的计算耗时几乎全都花费在计算AOM上。所以使用AIM方式定义原子空间导致PDI的计算比较慢,尤其是对于大体系这更要命。模糊空间是另一类划分原子空间的方式,相邻原子空间之间是平滑过渡的,没有明确的边界。模糊空间有许多不同的具体定义方式,如Becke空间、Hirshfeld空间、ISA空间等。在模糊空间内对函数进行积分比较容易(通常用DFT的交换相关泛函的积分方法来做),因此在模糊空间下计算AOM可以使DI和PDI的计算很快地完成。在JPCA,110,)中,作者证明使用模糊空间代替AIM空间来计算PDI研究芳香性是很合理的,这样可以节省大量时间。

indices)。测试表明ATI和PDI(AIM空间下计算的)有很好相关性。实际上,如JPCA,109,)所证明的,Mayer键级可以视为是希尔伯特空间下计算的DI,物理本质上没有区别,所以有这样好的相关性是很自然的事情。此文也证明了模糊空间下的DI和“模糊键级”(CPL,383,368(2004))是完全等价的。

注意AIM空间和模糊空间下计算DI对基组的敏感性都不高,虽然可以用,但没必要用大基组,算PDI用6-31G*就够了。由于DFT下的离域化指数的物理意义不清楚,所以原则上建议在HF下计算PDI。不过用杂化泛函时,从DI的数值结果上看倒也没什么不妥,实际上很多文章用的就是在B3LYP下计算的DI和PDI。而Mayer键级对基组敏感性略大,尤其不适合在弥散函数存在的情况下计算,算ATI的话通常也用6-31G*就行了。

Multiwfn中计算模糊空间下的PDI的方法是:首先载入含有波函数信息的文件,然后选15进入模糊空间分析功能,然后选5。程序会先在模糊空间下计算AOM并产生各个原子间的DI值,然后用户需要输入环上的六个原子序号,如2,3,4,7,10,11,输入顺序需依照原子连接关系。然后PDI值马上会输出出来。Multiwfn默认用的模糊空间的定义是Becke所提出的。用户也可以通过选项-1切换为Hirshfeld定义的模糊空间,但是它依赖于孤立原子密度,所以用户得提供孤立原子的波函数文件,故略微麻烦,从结果物理意义上来讲并不比Becke空间下计算的有显著优势。

Multiwfn中可以计算Mayer键级,方法是首先载入fch文件,然后选9再选1,此时大于默认阈值0.05的Mayer键级就会被输出出来。如果没有出现所要找的项,那么在启动Multiwfn之前可以在settings.ini文件里将bndordthres阈值设很低,比如设为0,则所有Mayer键级都会输出。程序也会问你是否将键级矩阵输出出来,从键级矩阵里也可以直接找到所有原子间的Mayer键级。得到环上三个对位的Mayer键级后,取平均即得到了ATI。

对于平面体系,Mayer键级和DI都可以精确地分离为sigma和pi部分的加和。因此ATI和PDI都可以分离为sigma和pi部分以单独研究sigma和pi芳香性。在Multiwfn中的做法是在计算PDI/ATI之前,按照前面提到过的,先用主功能100里的功能22来设定占据数,之后再照常计算PDI/ATI即可。

在密度泛函理论框架中定义了线性响应核(Linear response kernel, LRK),并且基于二阶微扰理论可以得到闭壳层下KRL的近似形式:

其中ε代表分子轨道能量,φ代表分子轨道波函数。occ和vir分别代表占据和空轨道。

LRK体现了在r2处对外势的扰动产生的对r1处电子密度的影响值,某种程度上也表现了r1和r2处的电子耦合程度,这一点和自旋相同电子间的费米穴函数有相似之处。对于定域性较强的电子结构,比如烷烃,那么只有r1和r2较近时LRK才可能较大。而如果电子离域性很强,并且离域范围明显涵盖r1和r2,那么哪怕r1和r2离得较远,LRK数值仍然可能较大。由于LRK能用于探测离域程度,而离域又是芳香性的基础,近来有人受这个启发,利用LRK衡量芳香性。

其中A、B代表原子空间,PCCP,14,)中用的是Becke模糊空间。S是前面已提到的原子重叠矩阵。两个原子间的CLRK定量地表现出两个原子间相互作用强度,也隐含地表现了两个空间内电子相互离域程度。形式上可以看出CLRK计算方式和DI十分类似,在doi:10.612D文中作者从数学上分析了二者间的密切关系。

类似于DI,在苯环上,也是对位间的CLRK比间位的大很多。因此基于CLRK,在PCCP,14,)中进一步定义了对位线性响应指数(PLR)。PLR和CLRK之间的关系和PDI与DI之间的关系完全一致,也就是六元环当中对位间的CLRK值取平均,即

在衡量芳香性问题上,现有的文章显示PLR和PDI几乎没有差别,线性相关性高达R^2=0.96,缺点和优点完全一样。由于CLRK也可以像DI那样分离为sigma和pi部分,故PLR也可以分离为PLR-pi和PLR-sigma。PLR和PDI用谁都可以,但从计算量上来说,由于LRK要涉及到虚轨道,DI只涉及占据轨道,而虚轨道数目往往比占据轨道多很多,所以PDI比PLR更省时。PLR刚刚提出不久,在有更多文章表明PLR比PDI在某方面有显著优点之前,在我看来只用PDI就行了。

在doi:10.612D中,作者也直接通过CLRK而非PLR来衡量芳香性,这样就不局限于六元环。通过对不同四元环到八元环的体系的研究,作者提出一套假设:
(1)对于芳香性环体系,相对着的两个原子间CLRK值为最大。比如六元环就是指1-4位原子间,七元环指1-4或1-5位,八元环指1-5位。
(2)对于反芳香性体系,相对着的两个原子间CLRK值为最小(原文说的是“局部极小值”),并且双键上的两原子间CLRK值为最大。
如果芳香性/反芳香性来自pi电子,应考察的是CLRK-pi;如果是sigma电子,应考察CLRK-sigma。

CLKR和PLR都可以在Multiwfn中直接计算。首先载入含有基函数信息的文件如fch、molden(不能用wfn/wfx文件,因为其中无虚轨道信息),然后进入主功能15,选9即可计算并输出CLRK矩阵。选10的话,会自动先计算并输出CLRK矩阵,然后让你输入环上的原子序号,如3,4,5,7,10,11,需符合原子连接关系。然后PLR值立刻会立刻显示出来。如果想只考察sigma或pi电子贡献的CLKR或PLR,依然是先用主功能100里的22先设占据数后再做计算。

在Chem.Eur.J.,9,400(2003)中作者除了提出PDI用于衡量六元环芳香性,还提出了一种靠DI衡量五元环芳香性的方法,称作ΔDI。如下图所示,五元环的最典型Lewis结构式包含C-C单键和C=C双键

令C=C双键的DI减去C-C单键的DI,就是ΔDI。显然,环的芳香性越强,单双键的区别就越不明显,因此ΔDI也越小。对于C5H5-,已经无法区分单双键,所以ΔDI达到最小值0。通过测试发现ΔDI与NICS有一定相关性,但是也有少数体系二者相关性并不好。

原文计算ΔDI时用的是在AIM空间下计算的DI。在模糊空间下计算DI,或者改用Mayer键级来计算也都是可以的。文中也发现哪怕直接用键长求差值得到的Δr,也和ΔDI相关性很好。

ΔDI计算极其便利,但笔者认为ΔDI称不上是很可靠的方法,关键一点是它只考虑了五元环的碳碳键部分,却忽略了上图中C-X键部分,这明显很不周到。

index)来衡量芳香性,它和HOMA挺类似,也是以理想芳香性环上的键的性质作为参考,来衡量实际的环上的键与它的偏离。相对于参考值偏离(波动)越大,说明芳香性越弱。FLU基于的是DI,既可以是AIM空间下计算也可以是模糊空间下计算,实际上换成Mayer键级估计也没问题。FLU的定义如下:

加和号循环环上所有键。n是环上原子数,δ(A,B)代表AB间的DI。δ_ref是相应类型的键的参考DI值,取自理想芳香性环(C-C、C-N、B-N键的参考值分别来自苯、嘧啶、borazine)。V代表原子价,对于闭壳层体系,V(A)也就是对B≠A的所有δ(A,B)的加和。当V(B)>V(A),α为1,反之为-1。将V(B)/V(A)引入式子中的目的是惩罚电子定域性较高的情况,而HOMA式子中没有与之对应的项。

FLU可以用于任意尺寸的环。缺点是不适合用于非平衡状态的体系,包括反应过程中芳香性的变化。更主要的缺点是引入了参考体系,这导致普适性差。

在同一篇文章中作者也提出了FLU-pi。和FLU的区别一方面是把所有DI值都替换为了DI的pi部分,另外就是把参考值换成了当前环上的所有键的DI-pi的平均值:

和FLU一样,依然是数值越低表明芳香性越强。FLU-pi相对于FLU的好处是避免了引入参考体系而能够适用于包含更多元素的体系,而缺点是FLU-pi只能用于平面体系,也只能体现pi电子芳香性。注意这里说的平面只是指所要研究的环是平面的,但不要求整个体系都是平面,因为利用轨道定域化方法,可以得到定域在感兴趣的环上的pi轨道,而DI也是可以基于定域化轨道来计算的。

在Multiwfn中可以在模糊空间下计算FLU。首先载入含有波函数信息的文件,然后选15,再选6,程序就会先在模糊空间下计算AOM并输出DI矩阵。然后用户按照连接关系输入环上的原子序号即可,FLU值和每个键对它的贡献都会立刻输出,由后者可以考察哪些键对芳香性有主要削弱效应。计算FLU所涉及到的参考值可以通过选项-4来设,默认参考值是笔者在HF/6-31G*下对苯、嘧啶、borazine计算的。如果用户用的方法和基组与此有明显不同,建议用户自行用这些参考体系计算一下DI参考值并在计算FLU前输入Multiwfn,否则FLU会有偏差(比如算得的苯的FLU将不是精确的0)。

在Multiwfn计算模糊空间下的FLU-pi的步骤是:首先载入含有波函数信息的文件,选15,再选7。待AOM和DI计算完毕后,输入占据的pi轨道的编号,比如输入17,20,21,然后再按照连接顺序输入环上的原子序号即可。读者可以利用主功能0来图形化观察分子轨道以确定哪些轨道是pi轨道,也可以利用主功能100里的选项22,来让程序自动找出pi轨道的编号(之后选0直接退回)。

2016年提出的AV1245可以视为是多中心键级的一个近似,目的是解决多中心键级因为算大环耗时太高而难以研究大环的芳香性的问题。AV1245在此文有专门介绍《使用Multiwfn计算AV1245指数研究大环的芳香性》(),因此此处不再累述。AVmin与AV1245密切相关,它不是像AV1245那样体现给定的环上的平均电子离域程度,而体现的是在环上离域程度最弱处的情况,即衡量的是离域的瓶颈位置,因此在衡量环的芳香性上有其独特的意义。如前文所述,由于2020年Multiwfn引入的新的多中心键级计算代码已可以非常快速计算哪怕非常大的环,因此AV1245已经没什么实际意义了。

7 基于电子分布的方法

本节介绍的方法基于电子密度分布来间接地衡量体系的芳香性。

7.1 AIM环临界点处电子密度及其曲率

在Can.J.Chem,75,)当中,作者指出环临界点(RCP)位置的电子密度和环的芳香性有对应关系。芳香性越强的环RCP处电子密度越大。而RCP的电子密度在垂直于环方向的曲率则与芳香性关系对应性更好,曲率越负(即RCP处电子密度在垂直于环方向上聚集程度越强),表明芳香性越强。

在Multiwfn中,这两个量都可以直接输出。首先将含有波函数信息的文件载入Multiwfn,选主功能2进入拓扑分析界面。通常只要依次选2、3、4即可找出所有电子密度临界点,然后选0进入图形界面查看环中心的RCP的编号。随后选21,输入RCP的编号,然后输入三个原子的序号(如3,5,6)来定义环的平面,之后RCP处的电子密度连同它在垂直于这个面方向的曲率都会输出出来。如果你不熟悉Multiwfn中的电子密度拓扑分析操作的话,建议参看或手册4.2节的例子。

注意不要用这种方法比较大小不同的环的芳香性,比如4元环和6元环比较芳香性没有意义。因为环越小,高电子密度区域离RCP越近,必定RCP处电子密度数值越大,聚集程度越高。

在PCCP,12,)当中,作者提出了Shannon芳香性的概念,之所以叫做这个名字,是因为这个芳香性指标依赖于Shannon信息熵。其公式如下

其中i循环构成芳香环的键上的AIM键临界点(BCP),N是环上BCP总数,r_BCP是BCP的坐标。SA的加和符号里的项就是BCP处的电子的局部信息熵。Ln(N)对应于完美芳香性分子所具有的最大信息熵。芳香性越强,SA值越小,对于苯这样的完美芳香性分子SA为0;反芳香性越强,SA就越大。小于0.003可认为具有芳香性,大于0.005可认为具有反芳香性。

在Multiwfn的拓扑分析界面里可以直接计算SA值。首先在主功能2里做拓扑分析找出BCP,然后选20,再把环上的BCP序号输入进去即可,如输入14,23,18,13,16,15。之后SA值会立刻输出,每个BCP的局部信息熵也会一起输出出来。

加和符号循环环上的每个BCP。ε_i是第i个BCP的电子密度椭率,ε_ben是理想芳香性体系(苯)的BCP的椭率。n是环上BCP总数,c是归一化常数,目的是让EL对于典型非芳香性体系的结果为0,即
其中ε_i,nonaromatic是非芳香性参考体系环上BCP的椭率。EL中这个体系取的是kekule形式的苯,其中单双键键长来自(3E)-1,3,5-己三烯。

实际上EL和HOMA在形式上十分相似,主要区别就是把键长指标换成了BCP椭率而已,数值范围依然是对于理想芳香性体系EL为1,非芳香性体系为0,反芳香性体系EL为负值。EL的基本思想是pi键越明显,BCP处电子密度越偏离轴对称分布,故此处电子密度椭率越大,于是用它来区分开普通sigma键和芳香环上的键。其实这种定义方式实在是了无新意。

EL虽然在原文中测了一些环状不含杂原子的有机分子结果还不错,但是缺点显而易见。EL公式中的c和ε_ben是依赖于计算所用的理论方法和基组的,因此对于每种计算级别先得自己用己三烯和苯计算一下c和ε_ben才能用EL衡量别的体系,这挺麻烦。另外,由于引入了参考值,所以EL有和HOMA同样的缺点,也就是研究的体系必须有对应的参考分子才行,而诸如金属团簇,由于没法找到合适的参考体系,EL就不能用。另外当键的极性较强,BCP处电子密度椭率变得不那么明确,EL也就不那么可靠。

总之笔者不认为EL是一个比较有理论意义或者有较大实用价值的方法,可靠性也还没被广泛检验。

计算EL所需的BCP处电子密度的椭率可以在Multiwfn里获得。首先载入含有波函数信息的文件,用进入主功能2做拓扑分析找出BCP,然后选7,并输入BCP对应的编号,就会输出电子密度的Hessian矩阵和本征值。如苯的C-C键BCP:
令λ1和λ2代表绝对值最大和第二大的本征值,则椭率定义为ε=λ1/λ2-1,故此BCP处的ε=-0.64392/(-0.5.19744。而对于乙烷的C-C sigma键由于密度分布是轴对称的,所以BCP处λ1=λ2,此时ε=0。

静电势的负梯度是电场(矢量),电场的导数就是电场梯度EFG,是个二阶张量。在J.Mol.Model.,17,)里作者提出可以用化学键上的EFG的分量来衡量芳香性。EFG可以在空间任意一处计算,比较重要的是EFG(0),它指的是键的正中间处的EFG值,以及EFG(0.5),是以键的正中间为起点,向垂直于环平面方向上挪0.5埃处的EFG值。EFG(0)或EFG(0.5)和键的pi特征相关,比如乙烷、乙烯、乙炔、苯的C-C键的EFG(0.5)分别为0.9140、1.3874、1.8810、1.1986,可见pi特征越明显数值越大,因此可以利用这个特点来衡量芳香性。

EFG方法衡量芳香性最大弱点是需要确定定域化Lewis结构,并且要有合适的参考体系来得到相应的定域化的键的EFG值,这使得它的适用范围大大受限。

其中i、j分别循环取代苯和未取代苯的六元环上每个原子。π_i代表第i个原子上价层pz自然原子轨道(NAO)的布居数,σ_i是原子的价层s、px和py的NAO布居数的总和。这里假定分子平面处在XY平面上。pEDA和sEDA表现了由于取代基效应,使得pi电子数和sigma电子数偏离未取代状态的量。pEDA、sEDA也可以用在其它类型环上研究取代基效应,比如吡啶,只要把公式中的苯环换成相应的环就行了。

NAO的布居数可以由NBO程序获得。比如在Gaussian里,用pop=NPA关键词就会调用NBO3.1模块进行自然布居分析,给出NAO的布居数。

这个方法只适合研究取代基对芳香性的影响,不同类型的环的芳香性没法比较。就算只考察取代基的影响,靠这两个量来分析芳香性是否靠谱,笔者尚持怀疑态度。尽管某些文章号称有成功的应用,并表示和其它个别芳香性指标有不错相关性。

共轭区域的几何结构的平面性和这个区域的电子共轭程度、芳香性有很大关系。对特征相同的环,由于特殊因素使得它越偏离平面,pi共轭就会越大程度地削弱,导致芳香性越低。笔者提出了一种非常简单、直观、严格的方法展现平面性,可以直接通过Multiwfn很容易地计算,对于从平面性角度讨论芳香性很有用处,参看《使用Multiwfn定量化和图形化考察分子的平面性(planarity)》()。

有个芳香性分析方法叫CiLC(CI/LMO/CASSCF)。这个方法计算过程复杂,分析芳香性过程也十分麻烦,需要考察CI组态系数和组态构成来分析是否键的均衡性被很好地满足以判断芳香性。这方法对于更深入探究电子结构或许有价值,但分析过于繁琐而对于分析芳香性没多少实际应用意义。详见JPCA, 104, 922 (2000)、JPCA, 106, 1)、JPCA, 107,

除本文体提到的之外,还有一些其它的五花八门的衡量芳香性的标准,比如I_NB、I_NG(JPCA,111,6521),还有人用源函数(Source function)分析芳香性,但都没什么意思,就不提了。

一个完美的衡量芳香性的指标应当具备这些条件:(1)可靠性高(2)计算量小(3)不依赖于参考体系(4)普适性好,可以用于种类多样的体系,如金属/半金属体系,任意尺寸的环,含任意元素、成键模式的体系。还应可以研究非平衡结构、不同电子态、不同外场环境下、化学反应过程中的芳香性(4)可以分离sigma和pi的贡献(5)可以同时衡量反芳香性(6)操作过程简便,有现成好用的程序可以支持。现有的各种芳香性指标互有优劣,没有一个完全满足这些条件。不过能满足大多数条件的指标是值得推荐的。

以下是本文涉及的主要的衡量芳香性的指标的综合对比。有些本文提及的方法,如LOL-sigma/pi、BOIA、HOSE、NICS-rate、θ指数、直接通过CLRK衡量芳香性、CiLC等等,要么目前用得很少,要么可靠性尚未检验,要么没什么新意,故不值得一提,就没列在表里。

注意本节的NICS是指RCP处NICS_zz(0)。FLU、FLU-pi、PDI、PLR、ΔDI都是指模糊空间下的。计算便利度是指使用Multiwfn程序的情况下。综合价值指的是方法的重要性、意义,如果某方法的提出无关痛痒,那么综合价值就比较低。耗时是指的计算芳香性指标本身的耗时,而诸如波函数计算、几何优化阶段的耗时不算在内。耗时是相对而言,对于小体系、中等基组的情况其实各种方法耗时都不大,但对于中、大尺寸体系或大量体系的计算就表现出明显差异了。

这些方法中基于几何结构的方法计算最为简单,但局限性最大,由于没有直接与电子相对应,没法表现诸如不同电子态、外电场下的芳香性,除非在相应条件下先优化几何结构。凡是依赖于参考体系的芳香性指标普适性都不很理想,用于金属团簇、非平衡结构几乎是不可能的。注意一些方法,如SA、Bird、FLU是基于键的均衡性来衡量芳香性,这类方法都有个通病,就是如果键的均衡性是来自于外因被迫产生的,那么就会明显高估芳香性。例如coronene中央的环的六个C-C键的特征均等的,但这实际上是由于周围六个环的对称排列所致,因此如SA、Bird、FLU这类方法就会误认为这个环的芳香性和苯一样强。

对于一般的芳香性研究,笔者首推多中心键级或AV1245。如果需要研究反芳香性,首推NICS。这两个方法的普适性、可靠性都令人满意,计算NICS对于小体系耗时不多。由于一开始提到的芳香性的多维性,笔者推荐同时选用三种或更多的方法来考察芳香性,比如同时用多中心键级、NICS、PDI、FLU、HOMA来一起衡量。如果结论是一致的,表明结论十分可靠;如果结论有所不同,那么可以再进一步分析、解释、探讨。

如果想图形化地考察芳香性,可以给出MO或AdNDP图形,指出各轨道对芳香性/反芳香性的贡献。也鼓励给出ELF-pi、LOL-pi或AICD图,电子离域路径由此可以展现得十分直观。

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