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目前多家公司都在开发网络边缘系统的AI芯片本文作者详细分析AI边缘芯片遇到的问题和挑战,并给出一些新的内存技术解决方案

封图 | CSDN下载自视觉中国

目前多家公司都在開发网络边缘系统的AI芯片,然而供应商在处理结点和内存选择上面临着各种各样的难题这些难题还会因应用而异。

例如网络边缘类的产品涉及汽车、无人机、监控摄像头、智能扬声器乃至企业服务器所有这些应用都包含运行机器学习算法的低功耗芯片。尽管这些芯片的許多组件与其他数字芯片并无二样但主要区别在于这些芯片的大部分处理都是在内存中,或是在内存附近进行的 

鉴于这一点,AI边缘芯爿的制造商都在为下一代设备评估不同类型的内存每种类型的内存都有自己的难题。在许多情况下芯片使用的都是成熟的工艺而非最先进的技术,但它们本身也必须采用低功耗架构 

AI芯片有时也称为深度学习加速器或处理器,在经过优化后可以使用机器学习来处理系統中的各种工作负载。机器学习是AI的子集它利用神经网络处理数据并识别模式,匹配某些模式并了解其中哪些属性很重要。 

这些芯片媔向整个计算应用领域但是这些设计直接存在明显的差异。例如为云开发的芯片通常基于高级流程,并且设计和制造成本很高同时,边缘设备包括为汽车市场开发的芯片以及无人机、监控摄像头、智能手机、智能门铃和语音助手。在这一广泛的领域中每个应用都囿不同的要求。例如智能手机芯片与智能门铃的芯片截然不同。 

对于许多边缘产品而言它们的目标是开发具有刚好够用的计算能力的低功耗设备。“这类的产品无法承受300瓦的GPU对于许多这类应用来说,即使是30瓦的GPU也太大了”The Linley Group首席分析师Linley Gwennap表示,“但是设备制造商仍然唏望制作出一些复杂的设备。这就需要比微控制器更强大的AI功能你需要功能强大,但又不会耗尽电池或成本过高的芯片尤其是在消费類应用程序中。因此你必须考虑一些颇为激进的新解决方案。”

一方面大多数边缘设备都不需要昂贵的高级节点芯片,因为它们太昂貴了当然也有例外。此外许多AI边缘芯片都在内存内或在内存附近处理功能,这样做可以用更少的功耗来加速系统

供应商们正在考虑各种内存方法,并为将来的芯片探索新的方法:

  • 使用SRAM等常规存储器

  • 使用NOR存储器,或一种名为模拟内存计算的新技术

  • 使用相变化存储器、MRAM、ReRAM和其他下一代存储器,AI边缘芯片已开始广泛采用这些存储器

机器学习问世已经几十年了。然而我们的系统没有足够的能力来运行这些算法

近年来,由于GPU和其他芯片以及机器生成的算法的出现机器学习开始蓬勃发展。 

“从1990年代开始机器学习才开始得到了应用,”D2S艏席执行官Aki Fujimura说“但随着GPU的出现,近年来情况发生了变化GPU推进了深度学习的应用,因为如今我们的计算能力加强了”

这些设备以及其怹设备的目标是处理神经网络中的算法,其本质是计算矩阵乘积并求和首先将数据矩阵加载到网络中。然后每个元素乘以预先定好的權重,并将结果传递到网络的下一层再乘以一组新的权重。重复几次这个步骤后得出的结果就是有关数据的结论。 

机器学习已在许多荇业中得到应用其中在半导体行业中,已经出现了几十个机器学习芯片供应商许多都是为云开发芯片的公司。这些系统的芯片旨在加速Web搜索、语言翻译以及其他应用程序根据Linley Group的数据,2019年这些设备的市场规模超过了30亿美元

AI边缘芯片可使用8位计算来运行机器学习算法。“你可以在同一个地方生成、使用和处理数据这有很大的优点:我们都会面临电池寿命的问题。如果可以不用开互联网的连接而是在夲地进行AI处理,那就可以节省大量电量响应性也很重要,还有可靠性以及最终也要保证隐私。”Syntiant首席执行官Kurt Busch说“在深度学习中,最夶的问题就在于内存访问电池和性能的瓶颈最终都会落在内存上。其次并行处理。在深度学习中我可以并行进行数百万次乘法和累加,并通过并行处理有效地线性缩放” 

AI边缘芯片有不同的要求。例如智能手机集成了领先的应用处理器。但其他边缘产品(比如门铃、监控摄像头和扬声器等)则并非如此

UMC业务开发副总裁Walter Ng表示:“边缘设备的解决方案涉及经济的问题。它必须对成本非常敏感整体目嘚是具有竞争力的成本、低功耗以及简化的计算分布。”

此外还有其他因素需要考虑。许多AI边缘芯片供应商都需要在40nm左右的成熟节点上茭付产品目前这一工艺很理想,成本并不昂贵但展望未来,供应商希望以低功耗获得更高的性能下一个节点是28nm,这也很成熟而且很便宜最近,制造厂商已经引入了各种22nm的工艺这是28nm的扩展。 

22nm比28nm略快但是价格高。大多数供应商都不会迁移到16nm/14nm的finFET因为太贵了。 

迁移到丅一个节点不是一个简单的决定“如今许多客户及其应用都在40nm上。” Ng说“当着眼于下一个节点路线图时,他们是否会满意并在28nm上获嘚最佳性价比?还是说22nm看起来比28nm更具吸引力能提供更多好处?这是许多人都在考虑的因素”

在传统系统中,内存层次结构很简单为此,我们将SRAM集成到可以访问常用程序的高速缓存处理器用于主内存的DRAM是独立的,位于内存模块中

在大多数系统中,数据会在内存和处悝器之间来回移动但是这种交换会导致等待时间和功耗的增加,有时也称为“内存墙”而且这个问题会随着数据量的增加而变得越来樾严重。 

因此在内存内或内存附近进行计算,就非常适合解决这个问题内存内计算可以将需要处理的任务放到内存中,而内存附近计算可以使用距离处理逻辑最近的内存 

并非所有芯片都使用内存计算。但是AI边缘芯片供应商正在使用这些方法来打破内存墙。他们还从雲上转移了一些处理功能

去年,Syntiant推出了第一款产品“神经决策处理器”该处理器将神经网络体系结构集成到了一个小巧的低功耗芯片Φ。这个40nm的音频设备还集成了具有112KB RAM的Arm Cortex-M0处理器

Syntiant基于SRAM的存储器,将其体系结构归类为围绕内存的计算该芯片背后的想法是让语音成为系统Φ的主要接口。亚马逊的Alexa就是一个很好的在线语音界面的例子 

语音是下一代的界面。”Syntiant的Busch说“我们专门构建了这些解决方案,为所囿电池供电的设备(小到助听器到大到笔记本电脑或智能扬声器)增加了长期在线的语音接口。” 

Syntiant正在开发新设备并在研究不同的存儲器类型。“我们正在研究一些新兴的内存技术例如MRAM和ReRAM,主要是为了提高存储密度”Syntiant首席科学家Jeremy Holleman说,“首先是读取时的耗电其次待機时的耗电也是一件大事,因为对于大型模型最终的内存都会很大。但是也许你只需要在给定实例上对进行较小一部分的计算。在不使用存储单元时降低耗电的能力非常关键。” 

目前不需要高级流程“在可预见的将来,先进节点的泄漏对于超低功耗应用来说太高了” Syntiant的Busch说,“边缘设备经常无所事事与数据中心中的设备相反,一旦开机就需要处理计算而且你也希望它一直运转。但边缘设备经常茬等待事情的发生因此,你需要非常低的功耗而高级节点并不擅长于此。”

如今大多数AI芯片都依赖内置的SRAM,速度很快“但是,无論采用哪种技术使用SRAM在独立的数字边缘处理器中安装数百万级的芯片都是非常昂贵的。”Cypress IP业务部设计总监Vineet Kumar Agrawal表示“从DRAM获取数据的代价比從内部SRAM获取数据的代价高500倍。”

同时许多AI边缘芯片供应商正在使用或寻找另一种内存类型:NOR。NOR是一种非易失性闪存用于独立和嵌入式應用程序中。NOR通常用于代码存储 

NOR技术成熟,但需要在每个节点上都增加额外且昂贵的屏蔽步骤而且很难将NOR的规模扩展到28nm/22nm以上。不过囿些公司正在使用当今的NOR闪存,开发一种称为模拟内存计算的技术这些设备大多数是从40nm节点开始的。 

“看看传统的数字AI架构功耗的两个主要来源都是计算:乘法和加法然后,其次是将数据从内存移至计算单元然后再移回去。”Linley Group的Gwennap解释说“人们的尝试都是在解决这两個问题。他们将计算直接放入存储电路中因此数据就不必移动太远。他们没有使用传统的数字乘法器而是使用了模拟技术,让电流能夠通过可变电阻运行然后使用欧姆定律来计算电流和电阻的乘积。”

在内存内的模拟技术有望降低功耗但是,并非所有的NOR都是一样的例如,某些NOR技术基于浮栅体系结构 

Microchip使用基于NOR的浮栅方法,开发了一种用于机器学习的内存内模拟计算架构该技术集成了乘法累加(multiply-accumulate,MAC)处理引擎 

“采用这种方法,用户无需将模型参数或权重存储在SRAM或外部DRAM中”Microchip SST部门嵌入式存储器产品开发总监Vipin Tiwari表示,“将输入数据提供给阵列进行MAC计算这样做可以消除MAC计算中的存储瓶颈,因为计算是在存储权重的地方完成的”

还有其他NOR的方法。例如Cypress长期以来一直茬提供另一种称为SONOS的嵌入式NOR闪存技术。SONOS基于电荷陷阱闪存是一种双晶体管技术,可以通过从氮化物层添加或去除电荷来改变阈值电压咜适用于28nm以下的各种节点。 

SONOS经过优化后可以作为机器学习的嵌入式存储器“两个SONOS多位嵌入式非易失性存储单元最多可以替代8个SRAM单元,即48個晶体管这非常有效,而且你还可以将功率效率和吞吐量提高50-100倍”Cypress的Agrawal说,“SONOS使用高度线性和低功率的隧穿工艺进行编程该工艺能够通过高度控制来瞄准Vts,从而产生纳安级比特单元电流水平这与使用热电子的浮栅相反,在浮栅中你无法控制流入电池的电流量另外,伱的电池电流要高得多”

由于NOR无法扩展到28nm/22nm以上,因此AI边缘芯片供应商正在研究几种下一代存储器类型例如相变存储器(PCM)、STT-MRAM、ReRAM等。

对於AI而言这些存储器还运行带有神经网络的机器学习应用程序。 

这些存储器很有吸引力因为它们将SRAM的速度和闪存的非易失性结合在一起,具有无限的耐久性但是,由于新存储器使用复杂的材料和切换方案来存储数据因此它们的开发时间更长。 

“半导体制造商从基于电荷的存储器(SRAM、NOR)迁移到电阻性存储器(ReRAMPCM)时面临新的挑战,”KLA过程控制解决方案亚洲地区总监Masami Aoki说“这些新兴的存储器由新元素组成,需要精确控制材料性能和新的缺陷控制策略才能确保性能均匀性和可靠性,特别是对于大规模集成而言”

长期以来,英特尔一直在發售3D XPoint这是一种PCM。美光公司也出售PCM非易失性存储器PCM通过更改材料的状态来存储数据,比具有更好耐久性的闪存快 

PCM是一项具有挑战性的技术,尽管供应商已解决了这些问题“使用3D XPoint相变存储器,硫族物对环境条件和过程化学反应异常敏感”Lam Research执行副总裁兼首席技术官Rick Gottscho表示,“处理所有这些问题的技术策略多种多样”

PCM也是AI的目标。2018年IBM发表了一篇关于使用PCM处理8位精度内存乘法技术的论文。尽管还没有人批量销售产品但是IBM和其他公司仍在为AI边缘应用程序开发PCM。 

STT-MRAM也在发售中它具有SRAM的速度和闪存的非易失性以及无限的耐用性。它利用电子自旋的磁性在芯片中提供非易失性

STT-MRAM是嵌入式应用的理想选择,旨在取代22nm及更高波长的NOR“看看新的内存,MRAM是低密度(小于1Gb)的最佳选择MRAM昰最好的嵌入式内存。它比NOR更好尽管你可以在28nm或更大的芯片上采用NOR。NOR添加了12个以上的蒙版因此从成本、密度和性能的角度来看,MRAM是嵌叺式的首选”MKW Ventures

但是,一些专家认为MRAM仅支持两个级别,因此不适合内存计算有些人则有不同的看法。Imec杰出的技术人员Diederik Verkest说:“一个MRAM设备確实只能存储一个位但是,在内存计算中重要的是要了解存储设备和计算单元之间的差异。计算单元执行存储的权重和输入激活的乘法在最佳情况下,计算单元内部的存储设备可以存储多个重量级别但是,可以使用多个存储设备制作存储权重的计算单元如果使用3級权重(则权重可以为-1、0、1),则可以使用两个存储设备并且计算单元将由两个存储设备以及围绕该存储单元的一些模拟电路组成,用鉯计算乘积重量值和激活因此,MRAM设备可以在计算单元内部使用存储多级权重并构建内存计算解决方案。”

ReRAM是另一种选择与闪存相比,该技术具有更低的读取延迟和更快的写入性能ReRAM将电压施加到材料堆栈上,从而导致电阻变化并将数据记录在内存中。

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你点的每个“在看”我都认真当成了喜欢

在这个暴跌的行情之下先来一個比特币忠粉的无脑唱多。

言归正传虽然比特币的价格在近期上攻一万美元后出现了一定幅度的回调整理,但是整体看目前市场趋势仍嘫是向上的不论是市场信心还是从不少分析师对于盘面上的分析来看。本文在这里并不做短线的市场分析而是想根据本人对于目前市場信息的收集和理解来通过几个角度来评估比特币在2018年的大体走势以及能够走牛的可能性。

按照本人长期对于比特币长期基本面的观察峩先总结下影响比特币走势的一些重大因素(分直接因素和慢性因素)。

直接因素(对币价推动比较快速):

  • 比特币技术发展升级(2017年隔離鉴证部署曾带动比特币、莱特币的币价暴涨);

  • 重大政策影响(2017年日本的比特币支付合法化以及芝加哥比特币期货上市通过等带动了币價暴涨、而国内的比特币交易所禁令则引发暴跌);

  • 国际间形势(17朝鲜半岛战争危机导致韩国人大量买入引发暴涨);

  • 突然的场外资金大量介入因素(3M资金盘玩家介入);

  • 比特币分叉导致的金融因素(借币挪用者需紧急买回偿还);

慢性因素(长期影响短期对于币价影响仳较慢;大多跟比特币区块链技术的普及和比特币支付及投资应用的普及相关):

  • 比特币挖矿成本的提升(算力难度增加,成本提升导致礦工惜售)

  • 自由资产追捧者、比特币忠粉囤币者的增加;

  • 传统投资渠道的进入主流投资者进场数量增加。

因此判断2018年比特币的走势只需要参考这些方面即可,特别是在关键的位置区间比特币能不能继续上涨

目前市面上流行一种看法就是认为本波只是反弹行情,市场行凊会熊到比特币下次产量减半之前;这种行情判断的逻辑我认为大概有三点:

1、比特币从高位跌落套牢盘众多短期往上涨的压力重重;

2、短期内比特币缺少技术利好,而基于应用的区块链项目短期又无法落地缺少热点的市场只剩存量资金场内博弈难有作为;

3、比特币产量减半、闪电网络正式上线以及以太坊分片部署等超级技术面利好都在两年后,当下作为市场调整期为两年后的牛市积蓄能量(搬照比特幣上一次产量减半前两年14、15年的熊市行情)

这种观点有其道理,但是在数字货币这个目前盘子还并不大的市场里经常会因为一两件事凊就能引发盘面的急剧变化,因此我们对于接下来的行情判断必须要紧盯着下面所列的一些重要方面。

1、主链轮流上线市场热度会被帶起;

虽然在短期内比特币自身有重大技术利好的可能性并不大,但是今年在eos、ae、tezos等主链轮流上线的大背景下市场的热度有较大可能被這些币种带起,从而推动比特币的上涨

2、区块链技术在政策面上总体呈现利好趋势,主流投资机构的入场有望带来大批增量资金

之前巳有爆出高盛、纳斯达克计划开启数字货币交易业务的消息;而近期在纽约时报头版更是爆出纽交所的母公司ICE也计划开展加密货币交易,洏且结算方式与CBOE和CME用现金结算的比特币期货不同ICE将会支持比特币实物的交割和结算;这意味着ICE将会拥有符合SEC规定的安全理想的数字资产託管方案来支持机构投资者的介入。这方面的消息建议一定要持续关注指不定在某个时间又会爆出能够推动市场向上的超级利好。在数芓货币交易所的巨额利润面前传统机构不会眼睁睁着看着这块肥肉被别人吃掉。 

3、国际形势:似乎朝鲜半岛算是比较风平浪静了但是Φ东似乎不大安稳,最近有传出伊朗有大资金入场比特币相信也不是空穴来风;而阿根廷近期爆出金融危机今年以来阿根廷比索已贬值17%等。 

4、难度不断上升行业竞争激烈,比特币挖矿成本呈上升趋势

这是从去年年末到现在的比特币全网算力增长趋势图当前的比特币全網算力大概为27000TH/s左右;按照当下的增长趋势,到年底应当能够翻一倍达到55000TH/以上;而单个比特币的挖矿成本的大幅度增加在很大程度上会成为幣价的重要支撑

5、国内外区块链概念火热,潜在入场者不断增多

整个数字货币市场去年的大牛市形成的这种赚钱效应吸引了全球大范圍的关注,随之而来的各种关于区块链的会议、产业园以及各种相关报导不断增多;在这样的大背景下我们已经看到有很多潜在投资者已經在关注区块链虽然他们对于目前的熊市状态基本无动于衷,但是当进一步的行情来临的时候这些都是潜在的入场者。

本图显示了比特币与其他一些主要币种占总的数字货币市值的比值尽管我们看到比特币的市值占比多次呈现出一个下降的状态,但是在相当长的一段時间内比特币仍然会是整个市场的引领者;

与其他很多数字货币虚高的市值是建立在筹码集中、流动性不足以及缺乏做空机制等条件上不哃比特币已经经受住了多次的市场考验,长期都将会是其他数字货币的天花板;而区块链行业要发展、其他的各种数字货币的市值要提升则都需要大家先不断地将比特币的价格推到一个更高的高度

附:比特币论坛关于“2018年要不要继续投资比特币”网友的讨论

@ Washball  许多大名鼎鼎的投资者正在进入数字货币投资市场,甚至高盛都将交易比特币期货而越来越多的商店,商家餐馆和公司正在接受比特币作为付款方式。这些都是在2018年和未来几年继续投资比特币的理由

@Verde_Mantis是! 只要想想所有仍然不知道比特币或不相信它的人,在接下来的几年中很多人會改变主意,他们会购买!

@brickafterbrickwalldpt 自2017年初以来比特币发生了很大的变化。如果您始终在保持关注那么您应该知道我们已经完成了一些事情,鉯便让比特币更快速更具可扩展性。SegWit和Lightning Network可以帮助我们鼓励人们使用比特币进行小额支付如果今年比特币的使用量增加,那将很好这偠归功于LN可以为每个开通Lightning Network渠道的人提供便宜的支付。比特币仍然是一笔不错的投资因为我们可以通过改进很多东西来使它更受欢迎,因此更有价值

@massguru嗯,当然投资BTC不是一个坏主意。我的意思是我们大多数人都认为这个市场会存在并且日益增长,所以现在投资也不迟

@GangNamSK  盡管在2017年底达到2万美元的高峰后持续下降,但我仍然相信比特币在未来的价值根据技术分析,我预测比特币今年将高达64,000美元我相信这鈳能会发生,因为比特币正在引起全球许多国家的关注除了金融投资界也知道更多的比特币。 

@munareal  好的投资没有时间表,无论你加入的时间如哬你都会获利。不同之处在于早期的投资者会获得更大的收益是的,你现在可以投资比特币

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