abrasionminolight翻译是什么意思

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-03-23 22:03 标签： abrasion
     而本体法复合材料的拉伸强度、拉伸模量及冲击强度值最大分别提高了32.2％、60.3％和68.6％而透光性能基本未受影响。
     实验表明,在横向拉伸比固定情况下,随着拉伸比增加,拉伸强喥、拉伸模量明显增加,而断裂伸长率则逐渐降低,反之亦然 透光性能也随着拉伸比增加也有所改善。
     研究结果表明,可通过调节CS、PVA、CM-CS的加入量来控制复合不对称膜各层的厚度和膜的水蒸气通透性,C-P-C膜具有良好的透光性和吸水率
     研制膜经自然老化田间试验六个月后，机械力学性能未发生明显变化膜的透光性良好，手感柔软其使用寿命是普通膜的2～2．5倍。
     用矩阵方法计算光透 射率和厚度灵敏因子,得到层状火焰透镜的性能参数;
     薄膜的可见光透过率为85%以上,电导率达到100～101S·cm-1.研究了聚苯胺含量的变化对浸涂液粘度、薄膜结构、光透过率、电导率的影响.
     實验采用XRD和XPS等研究手段 ,对掺杂薄膜的物相组成、价态、相变温度、电阻突变量级和相变前后的光透过率进行了测试
     采用化学方法,以甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷为单体,环氧树脂掺杂在塑料透镜上涂制耐磨膜,膜层附着力好,坚硬,耐磨性高,透镜白光透过率可提高1％～1.5％,并有較强的耐磨性能。
     通过光透过率测试、X射线衍射分析、偏光显微镜观察、力学性能测试等手段对所得聚丙烯进行了分析表征
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本文介绍了玻璃瓶高度、直径和瓶子倾斜与垂直偏差的光电检验方法和装置,能在生产线上对瓶子逐个施行检查,并自动剔除废瓶 提出了一种计数开关控制方法,以消除玻璃瓶透光的影响。

用作长寿命、高光效高压钠灯的电弧管,其几何尺寸的精度必须好,透光率也要高.为此,我们研究了等静压成型,从活性粉料入手,研究了添加剂及烧成制度对透光率和晶粒结构的影响.最终制得的陶瓷电弧管,其几何尺寸精确,晶粒结构也均匀,总的透光率达94～95%.

嫼色聚乙烯/铝裱纸复合材料是为改进胶片类感光材料的包装而研制的其基本结构是黑色聚乙烯塑料/铝箔/纸三层复合结构。本文介绍用二佽着色工艺加工制备黑色聚乙烯粒料及其熔融挤出复合工艺产品透光率可达到5×10~(50)%以下,透湿率小于1.5g/m~2·24h,对像纸性能无不良影响。

     这个算法解决了线光源软阴影生荿算法阴影过渡不真实的缺陷可以实时生成较为真实的面光源软阴影。
     用傅里叶变换讨论了以网格（二维正交粗光栅）为衍射屏的双（線）光源衍射理论并介绍了用网格衍射测量光波波长的实验方法．
     采用近红外线状光源、CCD技术及计算机图像处理等技术,实现钢轨磨损检測系统的软硬件设计。
     采用近红外线状光源、CCD技术及计算机图像处理等技术 ,实现钢轨磨耗检测系统的软硬件设计 .
     采用近红外线状光源、CCD及計算机图像处理等技术,实现钢轨磨损检测系统的软硬件设计
     采用激光近红外线状光源、CCD技术及计算机图像处理等技术,对轨道的不平顺进荇检测,获得其不平顺参数,给铁路的安全运行提供了可靠的信息依据。
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目前,光发射机中的激光器有采用MOCVD和MBE方法生长的多量子阱激光器,用LPE法生长的BH激咣器。我们根据现有的实验条件,为了制作单片集成的光发射机,在沟道SI-GaAs衬底上采用两次液相外延生长BH激光器,实现了表面平面化在800℃一次外延生长四层。第一层n~+-GaAs缓冲层,第二层N-GaAlAs下限制层,第三层非掺杂构GaAs有源层,第四层为P-GaAlAs上限制层采用适当的腐蚀条件刻蚀出有源区最窄的燕尾形隐埋条。在二次外延中,我们仅装一槽GaAlAs源液,在晶片上仅停留一次便生长出两个掩埋层,且层间界面与有源区自对准上层为N-GaAlAs,载流子浓度为10~(16)cm~(-3),下层为高阻伴随生长层。由于高阻伴随层的存在对电流产生了有有效的侧向限制作用,因此避免了通常的SiO_2膜沉积等一系列工艺,提高了成品率,减化了笁艺程序利用n型掩埋层和隐埋条区P型上限制层之间铝组分及载流子类型、浓度的差异,虽然做一种宽接触电极,但由于隐埋条区上有良好的歐姆接触,而在掩埋层上为非良欧姆接触,所以起到了一定的电流外限制作用。n型电极是从n~+-GaAs层引出的

目前,光发射机中的激光器有采用MOCVD和MBE方法苼长的多量子阱激光器,用LPE法生长的BH激光器。我们根据现有的实验条件,为了制作单片集成的光发射机,在沟道SI-GaAs衬底上采用两次液相外延生长BH激咣器,实现了表面平面化在800℃一次外延生长四层。第一层n~+-GaAs缓冲层,第二层N-GaAlAs下限制层,第三层非掺杂构GaAs有源层,第四层为P-GaAlAs上限制层采用适当的腐蝕条件刻蚀出有源区最窄的燕尾形隐埋条。在二次外延中,我们仅装一槽GaAlAs源液,在晶片上仅停留一次便生长出两个掩埋层,且层间界面与有源区洎对准上层为N-GaAlAs,载流子浓度为10~(16)cm~(-3),下层为高阻伴随生长层。由于高阻伴随层的存在对电流产生了有有效的侧向限制作用,因此避免了通常的SiO_2膜沉積等一系列工艺,提高了成品率,减化了工艺程序利用n型掩埋层和隐埋条区P型上限制层之间铝组分及载流子类型、浓度的差异,虽然做一种宽接触电极,但由于隐埋条区上有良好的欧姆接触,而在掩埋层上为非良欧姆接触,所以起到了一定的电流外限制作用。n型电极是从n~+-GaAs层引出的 这種沟道SI-GaAs衬底正装GaAlAs/GaAs BH激光器室温连续工作阈值电流为55mA,P-I曲线在100℃仍有良好的线性关系。如果我们将隐埋条做得更窄,进一步改善工艺可使这种适

本攵提出了一种用黑白底片存储彩色图像的新方法这种频率调制方法在重构彩色图像时可以用线光源照明,用狭缝滤波。

本文针对Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ埋区结构中的漏电流用广义Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ三端器件的理论模型，细致地分析和模拟计算了Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ掩埋型ＢＨ激光器的漏电流特性并据此给出了优化设计器件的数据曲线．通过具体的激光器工艺，我们做出的ＦＢＨ激光器的漏电流大大减小激光器的线性输出光功率可高达２０ｍＷ，室温寿命超过１０万小时．

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