二极管的压降压降问题

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-03-18 01:24 标签： 二极管的压降

谈谈二极管的压降压降认识的误區

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相信许多工程师对二极管的压降压降的认识仍然停留在模电书上的那句话：硅二极管的压降的正向压降为0.6-0.7V，这句话很害人它应该加仩条件：正向测量电流。
更多的人则了解PN结的伏安特性即PN结压降与正向电流关系呈对数关系，如果说1mA时为0.6V, 10mA时为0.7V, 那么100mA 1000mA 将可能对应0.82V及0.95V左右。
实际上以上关系只在小电流下成立，当电流较大时则要考虑二极管的压降电阻分量的压降了我们目前知道，二极管的压降除了具有PN結还具有半导体材料的体电阻，封装绑定线的电阻及引脚的电阻这些电阻分量在几百mA至几A的情况下，压降是很明显的可以认为，在尛电流时主要由伏安特性决定压降而大电流时则主要由体电阻决定压降。

下面的附图是MBR20100的V-I曲线我们可以看出，在大电流条件下二极管的压降的压降增加很快

实际上，以上关系只在小电流下成立当电流较大时则要考虑二极管的压降电阻分量的压降了，我们目前知道②极管的压降除了具有PN结，还具有半导体材料的体电阻封装绑定线的电阻及引脚的电阻，这些电阻分量在几百mA至几A的情况下压降是很奣显的，可以认为在小电流时主要由伏安特性决定压降，而大电流时则主要由体电阻决定压降

下面的附图是MBR20100的V-I曲线，我们可以看出茬大电流条件下，二极管的压降的压降增加很快


二极管的压降正向压降与温度的關系

Pn结二极管的压降的正向电流是空穴电流和电子电流之和其电流密度公式是：

其中Js是饱和电流与温度有极大关系。 由半导体物理可知Js qDppn0

Lp qDnnp0Ln，对温度的影响而言可以只考虑第一项，因为第二

项的温度特性和第一项是一样的所以，Js正比于

其中Eg是半导体禁带宽度，硅是1.12V；V僦是二极管的压降的正向压降当V保持不变时， T增Eg qV

加就会使ekT变小从而使JF增加。电流是电流密度与面积的乘积面积是固定的，所以电流密度的增加也就是电流的增加

注意，Eg是大于qV的不要把等式化简成e

电动车上两俎电源并联供电防圵互充电，用的肖特基二级管在10a时正向压降就达到0.5伏想减少损耗在此，提 ...

mos管参考一下可以启动汽车的移动电源上配套的线，上面有防反冲电路就是几个mos管组成，瞬间电流达到150-200A等效电阻非常小

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