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固体 电子学研究与进展
v0I．27．No．4
2007年 11月
RESEARCH&PROGRESSOFSSE
NOV．，2007
AIGaN／GaNHFET中的陷阱
(单片集成 电路与模块国家级重点实验室，南京电子器件研究所，南京，210016)
2006—02一l0收稿 ，收改稿
摘要 ：提 出了二维表面态和表面缺陷层构成的A1GaN／GaNHFET 中的陷阱模型。自洽求解薛定谔方程和泊松
方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数 。发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度 ，显著增
强了热 电子隧穿过程。从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成 的新陷阱模型出发 ，解释了HFET 的瞬态电流、肖特基势
垒的伏安特性和产生一复合噪声 。最后讨论 了改进材料生长和器件工艺来抑制陷阱效应 ，改善器件性能的途径 。
关键词 ：AIGaN／GaN场效应管；陷阱；二维表面态 ；表面缺陷；热 电子隧穿
中图分类号：TN386
文献标识码 ：A
文章编号：(7-07
TrappinginAIGaN／GaNHFET
XUE Fangshi
(NationalKeyLaboratoryofMonolithicIntegratedCircuitsandModules，NanjingElectronic
DevicesInstitute，Nanjing，210016，CHN)
Abstract：AnewtrappingmodelinA1GaN ／GaNHFETcomposedoftwodimensionalsurface
states and surface defects is proposed． From the self consistent solution of Poisson and
Schr6dingerequation，the band structure，thewave functionsforfundamentalstates，excited
states，and two dimensionalsurfacestatesarecomputed．ItiSfound thatthebarrierwidth iS
thinnedbythesurfacedefectswithhighdensitytoenhancethehotelectrontunneling．From the
electronemissionofsurfacedefectsandthehotelectrontunnelingthetransientcurrentinHFET，
theI—V characteristic inGaN Schottky diodeand thegeneration—recombination noisebehaviors
areexplained．Atlast，thenew wayofmaterialgrowthanddevicesfabricationtoreducethetrap—
pingeffectisdiscussed．
Keywords：AIGaN ／GaNHFET；trapping；twodimensionalsurfacestates；surfacedefects；
hotelectron tunneling
EEACC ：2560S；252OD ；255OE
而，目前还不能
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MicroRNAs与缺血性脑卒中的研究进展.pdf 4页
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Pharm Care Res
M icr oRNA s
洋, 芮耀诚 ( ,
M icro RN A s( miR NA s) R NA , mR N A 3cmRN A
miRN A s , ,
micro RN A; ; ; ;
167 1- ) 02- 0115- 04
DO : 10 . 5428/ pcar
Advances in research on microRNAs and ischemic stroke
L N Y ang , R U Yao Cheng* ( Department of Phar maco lo gy , Scho ol of Pharmacy ,
Seco nd M ilitar y M edical U niver sity ,
[ ABSTRACT]
M icroR N As
( miRN A s) are small,
non- pr otein- enco ding
RN A s that
post- tr anscriptionally r eg ulate g ene ex-
pr ession v ia suppressing the specif ic tar get mRN A s.
M iRN A s are also known t o play import ant ro les in many physiolo gica l and
patho log ical pr ocesses. n this ar ticle,
t he expressio ns of m iRN A s in both brain and blo od of animals and patients wit h ischemia
st roke are r eview ed.
[ KEY WORDS]
micr oR NA ;
[ P har m Care Res, ) :
MicroRNA s( miRNA s)
miRNA s( precurso r miRNA s)
miRNA s export in-5
, mRNA 3c,
m RNA mRNA ,
m iRNA s[ 1]
m iRNA s, A
1pH = 13 ,
[ 1 1, 12]
M iRNA s ,
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短暂性左心室球形性综合征的临床特征及预后研究.pdf 4页
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162) C hinese C ircu lation
Journal, A pril,
20 10, V ol25 N o2( Serial N o162 )
朱中玉, 牛振民, 高传玉, 徐予, 周晗, G ills Grollier
: ( TLVABS)
15 TLVABS,
) , ( 6360
( 13 / 15)
938( 55 ~ 315) ,
: TLVA BS, ,
Clinical Characteristics and P rognosis of TransientLeftVentricular Apical
Ballooning Syndrome
Zhongyu, N IU
GAO Chu anyu,
ZH OU H an, GROLL IER G ills.
D epartm ent of Card io logy, H enan P rov incial P eople!
s H osp ita,l
( 450003) , H enan,
Corresponding Autho r:
GAO Chu anyu,
yahoo. com.
O bjective: T o summ arize the
clinical ch aracter istics and prognosis of tran sient le ft
ventr icular
ba lloon ing syndrom e
( T LVABS) .
Patient s w ere retrospective ly
retr ieved
from the datab ase o f Caen U niversity ho sp ital,
F rance, from
September 2005 to
A ugu st 2008. A cco rding
to M ayo C linic d iagnostic cr iteria,
15 p atients w ere diagnosed fo r TLVA BS
ang iog ra
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SELEX技术的研究新进展及应用.pdf 4页
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SELEX技术的研究新进展及应用
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ISSN 1007 -
8738细胞与分子免疫学杂志
文章编号 :
SEL EX技术的研究新进展及应用
陈　亮 综述 　陈集双
浙江大学生命科学学院 , 浙江 杭州 3 10029
[摘 要 ] 　指数富集配体的系统进化 ( system atic
evo lu tion
选过程虽然有一点不同 ,
但一般都包括 以下几个步骤 [ 5,
ligand s by exponential enrichm en t, SEL EX ) 是 20 世纪 90 年代
1 通过人工合成 ,
建立 d sDNA 随机序列库 ,
库容量通常在
发展起来的一项组合化学技术 。利用该技术可以从随机单链
～1015之间 , 每条序列由两端的恒定区和中间的随机区组
核酸序列库中筛选到特异性与靶物质高度亲和的核酸配体
随机区的序列长度一般在 30 ～40
n t之间 , 恒定区为 PCR
( ap tam er) , 其解离常数可以与单克隆抗体媲美 。经过十几年
扩增所必须 。若使用 RNA 文库 , 则需在一端的恒定区加入噬
SEL EX技术已经成为一种重要的研究手段和工具 ,
菌体 T7启动子 , 可使 DNA 文库转化成 RNA 文库 。 2
被广泛应用到分子生物学 、基因组学 、临床医学等众多研究
物质反应 , 筛选出相互结合的靶物质 核酸复合体 。筛选技术
领域 , 并且衍生 出了混合靶 SEL EX、体 内 SEL EX、基 因组
包括硝酸纤维膜过滤结合
n itrocellu lo se
filter b inding
SEL EX等各种子技术 。随着基因组学和蛋白质组学的深入开
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DVB-S调谐芯片中的高性能分频器的研究和设计.pdf 61页
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卫星数字电视调谐芯片是卫星数字电视接收机的前置级部件，在数字电视技术中占有十分重要
的地位。频率合成器作为调谐芯片中的重要模块，需要提供高频谱纯度、稳定、可编程的本振信号。
分频器作为锁相环型频率合成器环路中的关键部件，～般处于锁相环型频率合成器的反馈同路上对
压控振荡器进行多模可编程输出，或在倍频式频率合成器中对压控振荡器进行分频操作，从而得到
正交本振信号。
论文对应用于卫星数字电视(DVB．S)调谐芯片中的分频器进行设计，主要包含锁相环型频率
合成器内的多模可编程分频器及产生正交信号的2分频器。论文总结了频率合成器及分频器的基础
知识及研究现状，并根据应用背景确定分频器的设计指标。按照“自顶向下”设计流程，对多模可
编程分频器和产生正交信号分频器的常用结构及其工作原理，底层逻辑单元的设计模型，以及系统
噪声模型进行分析，并重点设计了相关的分频器系统。本设计中的多模可编程分频器，以“拉链分
频器”为基础设计其中的预分频器模块，并通过标准CMOS工艺的数字计数器设计进行分频比的扩
充；正交2分频器利用基于双极工艺的射极耦合逻辑(ECL)对压控振荡器产生的高速信号进行2
分频，并产生两路正交差分信号。通过对单元的电路参数精心设计，从而获得低功耗，良好输入敏
感性的高性能分频器。
论文基于捷智半导体(JAZZ
BiCMOS5V工艺，设计了电路及其
Semiconductor)0．35I_trn
并产生相位失配度小于4度的正交信号。
关键字：分频器，预分频器，频率合成器，正交产生器，射极耦合逻辑，BiCMOS
receiver,and
chip presetcomponentdigital broadcasting-satellites
blocktuner
chip，frequency
occupyingimportantdigitaltechnology．As
clean，stable
oscillator(Lo)signals．InCase，
synthesizersprovide
programmable
dividerwhichisa
alwaysnormally
frequencysynthesizers’loop
feed—backto
multi—modulus
controlled
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