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升降压双通路电荷泵转换器的研究与设计.pdf 95页
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升降压双通路电荷泵转换器的研究与设计
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洳≥：j、嗡
硕士学位论文
浙江大学硕士学位论文
随着现代集成电路技术的快速发展，便携式电子设备市场成长迅速，对电
源管理电路的设计提出了新的挑战。例如，便携式设备往往要求其DC．DC转
换器具有高效率、小体积、低成本等特性。传统的PWM开关电源在负载电流
超过500mA的情况下有非常好的转换效果。但随着便携式电子设备的尺寸越来
越小，其工作电压和负载电流也越来越低。利用开关电容构成的电荷泵更加适
合这类负载电流变化范围在10mA到500mA内，对体积有限制要求的应用领域。
因此，电荷泵转换器已成为目前便携式设备的主流电源方案。
Chip)中，要求将模拟电路和数字电路集成在
另外，在SOC(System
同一芯片上。而在深亚微米集成电路中模拟电路与数字电路必须采用不同的供
电电压。随着SOC逐渐成为现代集成电路的主流发展方向，能够同时提供两种
调制电压分别满足同一芯片上模拟电路和数字电路的供电需求的直流．直流转
换器亦得到极大的关注。有鉴于此，本文提出一种具有高低压双通路的电荷泵
论文深入研究了各种适用于DC-DC转换器的电荷泵电路，分析了电荷泵
转换器工作的基本原理，并定量分析了电荷泵中的主要性能参数。以此为理论
依据，分析讨论了电荷泵转换器的三种调制策略：后调制技术、预调制技术和
PFM调制技术。根据这几种调制模式的优缺点的比较结果以及本文的主要设计
目标，设定了以PFM调制模式为基础的双通路电荷泵系统方案。
论文的创新点在于基于电容复用思想，采用多增益模式和增益跳变技术，
利用状态机和数字逻辑电路的控制方式实现了可同时输出升降压双通路调制电
压的电荷泵，且通路间可分享驱动能力。双通路电荷泵的输入电压范围为2V
8V(降压)，双通路的最大驱动能力
到3．6V，输出电压分别为5V(升压)和1
分别达到100mA，转换效率峰值达到85％到90％。
CMOS工艺下完成了各功能单元电
完成系统设计后，在TSMC的o．35um
路的设计，包括低压基准电路、振荡器和死区控制电路，状态机和数字逻辑控
制电路，输入输出电压比较器、带使能信号控制的LDO、欠压锁定电路、功率
输出级电路。通过Cadence的Spetre仿真器对各功能单元和系统进行了仿真验
证，仿真结果表明电路与系统功能正常，已达到预定的设计指标。
关键词：电荷泵转换器，双通路，PFM调制技术，电容复用，多增益模式，
增益跳变技术
浙江大学硕士学位论文
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葡聚糖水合二激酶的生物学功能及其应用.pdf 7页
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葡聚糖水合二激酶的生物学功能及其应用.pdf
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Journal of Zhejiang University
( Ag ric . &
Life Sci .)
http :/ / w w w .journals
Email :zdx bnsb zju
DOI : ./ j
lucanw ater
dikinase ,GWD)
Biological function and application of glucan water dikinase : a review . Journal of
U niversity
Ag ric . &
Life Sci .) ,
I ns titute of N uc lear
A g r icultural
,Zhej iang Univ e rs ity
, H angz hou
phosphorylation
is a general
phenomenon
existing naturally in
the plant kingdom
reaction of phosphorylation
catalyzed by the
glucan w ater dikinase ( GWD )
is a necessary
process during
degradation of
the transitory
starch in plant
. In this review
, w e summarized the prog ress made on GWD f rom
its structure , biological functions
and its interactions w ith
metabolism
discussed its potential application in starch processing
industries to
provide environment f riendly
starch modification through genetic engineering
. Potato GWD gene ( S tG W D)
encodes a pro tein of
residues w ith a calculated molecular mass of about
ku for the entire coding sequence . From the N terminal
chloroplast transit peptide
tw o carbohydrate
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Al2O3陶瓷与5A05铝合金的间接钎焊工艺.pdf 6页
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中国有色金属
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第20卷第3期
中国有色金属学报
2010年 3月
、，0l-2ONO．3
TheChineseJournalofNonferrousMetals
M ar．2010
文章编号：(3—06
Al2o3陶瓷与5A05铝合金的间接钎焊工艺
徐富家，张丽霞，冯吉才，王 颖，王克强
(哈尔滨工业大学 现代焊接生产技术国家重点实验室，哈尔滨 150001)
摘 要：利用A1一Si—Mg钎料和 自制工艺罩内置Mg粉方法，实现化学镀镍Al2O3陶瓷与 5A05铝合金的真空钎焊
连接，并分析保温时间及连接温度对接头界面结构和抗剪强度的影响。结果表明：连接温度570℃，保温时间15
min为最佳工艺参数，此时接头界面结构为 A12O3N／i(I区)／A13Ni2(II区)A／I3Ni+Mg2Si(III区)／a(A1)+Mg2Si(IV
区)5／A05，接头的抗剪强度为25MPa。随着保温时问的延长，Ni层变薄，Al3Ni2组织的变化不大，AI3Ni+Mg2Si
组织逐渐变宽，且呈分散趋势：当保温时间延长到50min时，A13Ni+Mg2Si完全变成零乱的形状、大小不一的块
状分布，且靠近 5A05侧的MgSi消失。连接温度对界面组织结构的影响与保温时间的影响相似，接头断裂形式
为脆性断裂。当接头的强度较低时，断裂发生在铝合金侧的a(A1)+MgzSi附近；当接头的强度较高时，断裂发生
在镀Ni层+界面区(II区与III区)。
关键词：A12O3陶瓷；化学镀镍；真空钎焊；界面结构；抗剪强度
中图分类号：TG454
文献标识码：A
Processofindirectbrazingalum inato5A05AIalloy
XUFu-jia，ZHANGLi—xia，FENGJi—cai，WANGYing，WAN GKe-qiang
(StateKeyLaboratoryofAdvancedWeldingProductionTechnology，HarbinInstituteofTechnology，
Harbin150001，China)
Abstract：Vacuum brazingofAlalloyandelectrolessnickelplatedaluminawascarriedoutwithAI—-Si-·Mgbrazingalloy
andMgpowderinhome—madetechnicalhood．Effectsofbrazingtemperaturenadholdingtimeontheinterfacestructure
and shearstrength ofjointswereanalyzed．The experimentalresultsshow thatthe interface structure is
A1203N／i(Izone)／A13Ni2(IIzone)／A13Ni+MgESi(IIIzone)a／(A1)+Mg2Si(IV zone)／5A05whenthebrazingtemperatureis
570℃andholdingtimeis15min．Themaximmu shearstrengthofjointsisupto25MPa．Astheholdingtimeprolongs．
Nilayerbecomesthin，A13Nizonechna geslittleandA13Ni+Mg2Sizonebecomesthickanddispersed．Whentheholding
timeis50min．A13Ni+M g2SizonebecomesscatteredandMg2Sinear5A05alloy disapperas．Theeffectofbrazing
temperautreonthejointsis
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